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SP6649P

是一颗电流模式PWM控制芯片,内置650V高压功率MOSFET,芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。

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       SP6649P是一颗电流模式PWM控制芯片,内置650V高压功率MOSFET,芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。

       SP6649P在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。

       SP6649P内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(VDD OVP),VDD过压箝位,欠压保护(UVLO),过温保护(OTP)等,通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。

       SP6649P采用DIP8封装。


典型应用框图

功能

 ● 全电压范围输入时待机功耗小于75mW

 ● 内置650V高压功率管

 ● 软启动可用来减少MOSFET上Vds的应力

 ● 抖频功能,改善EMI性能

 ● 跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗

 ● 无噪声工作

 ● 固定65KHz开关频率

 ● 内置同步斜坡补偿

 ● 低启动电流,低工作电流

 ● 内置前沿消隐(LEB)功能

 ● 过载保护(OLP),逐周期限流保护(OCP)

 ● VDD过压保护(VDD OVP),欠压保护(UVLO),VDD电压箝位,过温保护(OTP)

应用

 ● 充电器

 ● PDA、数码相机、摄像机电源适配器

 ● 机顶盒电源

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